欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXBX25N250

IXBX25N250 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXBX25N250功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXBX25N250是一款高效能的功率半导体IGBT,适用于各种工业和电源应用,如UPS、逆变器、电机驱动和风能等。其出色的性能,如2500V、55A、300W的额定参数,使得它成为市场上的佼佼者。 二、技术特点 IXBX25N250采用PLUS247技术,这是一种IXYS艾赛斯特有的封装技术,旨在提供最佳的热性能和电气性能。PLUS247技术使芯片在封装中更均匀地分布,以实现更低的热阻和更高的功
  • 共 1 页/1 条记录