IXGH24N120C3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 48A 250W的TO247封装功率器件。这款器件以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种高功率电子设备中，如逆变器、电源转换器、电机驱动等。 二、技术特点 IXGH24N120C3功率半导体IGBT具有以下主要技术特点： 1. 高压和大电流能力：这款器件能够在高达1200V的电压下工作，提供高达48A的电流输出，这使得它适用于