IXGT10N170 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGT10N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXGT10N170是一款功率半导体IGBT，其特点是工作电压低、开关频率高、损耗小、可靠性高等。该器件的最大额定值为1700V，电流为20A，功率为110W。其封装为TO268，便于电路板安装，具有优良的热性能和机械特性。 二、技术特点 IXGT10N170采用了IXYS艾赛斯独特的专利技术，包括精确的栅极驱动技术、温度控制技术以及过热保护技术等。这些技术的应用，使得IXGT10N170在各