IXGT16N170A 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT是一种重要的功率电子设备，其应用范围广泛，涵盖了电力转换、电机驱动、电子变压器等多个领域。此款IGBT的特点在于其高耐压、大电流和高热稳定性，适用于各种高功率场合。 二、特性详解 1. 额定值：该款IGBT的额定电压为1700V，额定电流为16A，额定功率为190W。 2. 封装形式：TO268，方便安装和散热。 3. 技术规格：IXGT16N170A