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IXGT32N120A3 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXGT32N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGT32N120A3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多电子设备中的关键元件。 IXGT32N120A3是一款1200V、75A、300W的TO268封装IGBT。这款器件的特点在于其高耐压、大电流和大功率,使其在各种高电压大电流的场合中都能发挥出色。其优越的性能和紧凑的封装,使得它在许多工业和消费电子产品中
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