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标题:IXYS艾赛斯IXGT6N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGT6N170A功率半导体IGBT,以其独特的性能和特点,成为了业界关注的焦点。本文将围绕IXGT6N170A的特性和应用进行介绍。 一、技术特点 IXGT6N170A是一款高性能的功率半导体IGBT,其最大允许电流达到6A,耐压达到1700V,功率损耗降至最低,使其具有高效、节能、环保的特点。该器件采用了IXYS艾赛斯公司独特
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