标题：IXYS艾赛斯IXXR110N65B4H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXXR110N65B4H1功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了众多行业中的优选方案。 IXXR110N65B4H1是一款具有650V耐压和150A电流能力的IGBT模块，其额定功率为455W。这款器件的特点在于其高效率、高可靠性以及低热阻，使其在各种工业应用中表现出色。此外，它还具有ISOPLUS247的封装技术，这