标题：IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH10N170C功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低能耗的优秀产品。这款IGBT采用1.7KV 36A TO247封装，具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点。其内部结构采用双极型结构，具有较高的开关速度，能够有效地降低功耗，提高系统效率。此外