标题：IXYS艾赛斯IXYH20N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH20N120C3D1 IGBT功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，在众多应用领域中发挥着重要作用。 IXYS IXYH20N120C3D1 IGBT是一款具有1200V耐压、36A电流容量和230W功率输出的器件。其TO-247AD封装设计使得该器件在各种高功率、高温度和高频率的应用场景中表现出色。此外，该器件的开