标题：IXYS艾赛斯IXYH50N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N120C3D1功率半导体IGBT是一款适用于高电压、大电流应用的器件。该器件具有1200V的额定电压，高达90A的额定电流，以及625W的额定功率，被广泛应用于各种需要高效、稳定电源传输的设备中。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH50N120C3D1的特性。这款IGBT采用了TO247封装，具有高耐压、大电流和高效率的特点。其内部结构包括一个N沟道MOSFET和一个P沟道I