IXYK140N120A4 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXYK140N120A4功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYK140N120A4功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其工作电压高达1200V，电流容量为140A，适用于各种高功率电子设备中。这种器件具有较高的开关速度，且在高温、高压等恶劣环境下仍能保持良好的性能。 二、工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合功率半导体器件，它结合了晶体管的高输入阻抗和二极管的反向阻隔能力。