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IXYP20N65C3D1 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,它具有650V的电压耐压和18A的电流容量,同时提供了高达50W的输出功率。这款器件以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子系统中发挥着重要的作用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了先进的工艺技术,具有高电压、大电流、低损耗和高可靠性等优点。它的开关速度非常
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