2023年，中国碳化硅产业迎来了迅猛发展。首先，8英寸碳化硅衬底技术取得重大突破，三安、天岳先进、天科合达等企业获得国际芯片巨头认可，并签订长期供货协议。同时，ST与三安合资建立碳化硅器件工厂，三安负责衬底供应。在产能扩张方面，今年以来，国内碳化硅衬底产能逐步实现，多家厂商的扩产项目在2023年达到量产或正在提升产能。许多碳化硅功率器件初创企业由fabless转型为IDM，一些IDM初创公司建立了自己的碳化硅晶圆厂。此外，碳化硅晶圆代工产能也有所提升，国内碳化硅产业链上下游产能在过去一年显著增

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年里，国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破，8英寸进展神速，同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可，签下碳化硅衬底长期供货协议。ST还与三安合资建设碳化硅器件工厂，并由三安配套供应碳化硅衬底。另一方面产能扩张速度也较快，今年以来国内碳化硅衬底产能逐步落地，多家厂商的扩产项目都在2023年实现量产或是在产能爬坡过程中。与之相匹配的是，不少碳化硅功率器件初创企业也在这一年里从fabless转型为IDM，也

Yole Intelligence推出《2024年化合物半导体行业现状报告》，全面分析市场动态、生态系统演变和技术趋势，重点关注CS衬底和外延晶圆。 在功率和光子学应用强劲扩张的推动下，到2029年，全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展，射频探索新的市场机会。 2029年衬底市场将达33亿美元 化合物半导体(Compound Semiconductor，CS)是跨行业的变革力量。碳化硅(SiC)在汽车领域的主导地位，特别是在800V电动汽车领域，推

硅基光电集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低时延的优势;无需过分追求工艺尺寸的缩小。硅光产业今年市场规模将突破28亿美元，未来可达数百亿美元。 近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）应用于探测器，L波段探测率超过商用锗探测器2-3倍。 12英寸平台的GeSn LED器件方面，实现高质量CVD外延法6英寸GeSn生长突破，实现直接带隙GeSn薄膜;与美国应用材料公司合作，实现12英寸硅衬底Ge/GeSn MQW单晶薄膜生长。8英寸 GeOI平台的GeSn垂直腔面光源器件方面，设计并制备了绝