IXYS(艾赛斯)成立于1983年,是一家总部位于德国并在美国纳斯达上市的世界著名半导体生产商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半导体产品的研发和生产,包括MOSFET,IGBT,可控硅/二极管,整流桥,快速二极管,肖特基,电源管理IC等.IXYS 的产品以高靠性和大功率为业界所推崇,产品广泛的应用在通信电源,工业传动,医疗设备,汽车电子,平板显视等领域.
IXYS先后收购了ZILOG,WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司,产品扩充到大功率的盘状可控硅二极管,压接式IGBT,固态继电器,电源管理IC,RF MOSFET及其驱动.IXYS在亚洲,欧洲和北美设有分公司及代理商据点,雇用1000多名技术熟练的工作人员在全球10个部门. IXYS公司拥有超过2,500个分布于通讯,交通运输,工业,医疗和消费类公司的客户群,是一个全球性的半导体供应商.
IXYS于2017年被美国力特半导体(Littelfuse)以7.5亿美元收购。
2024-04-15
标题:IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点是600V、66A和190W的规格,适用于各种高效率的电源和电子设备。 二、技术特点 IXGH28N60B3D1采用了IXYS艾赛斯独特的IGBT技术
2024-01-30
据彭博社1月20日报道,美国国会将禁止国防部从中国的6家电池制造企业采购电池,这一规定将作为2023年12月通过的2024财年国防授权法案中的一部分实施。报道称,这是美国国会试图进一步推动国防部供应链与中国“脱钩”。 据介绍,被禁的6家中国电池制造企业包括:宁德时代、比亚迪、远景能源、亿纬锂能、国轩高科、海辰储能等。不
2024-01-10
PN5331B3HN/C270,55 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 771-PN5331B3HNC27 制造商编号: PN5331B3HN/C270,55 制造商: NXP Semiconductors NXP Semiconductors 客户编号: 说明: NFC/RFID标签和应答器 Com Contro
2024-04-26
标题:IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT,采用GENX4系
2024-01-31 1.马斯克脑机接口公司成功进行首次人体植入试验马斯克创办的脑机接口初创公司Neuralink宣布,1月29日成功完成首例人脑植入手术,患者目前恢复良好。马斯克在X平台发文称,初步结果显示,神经元尖峰检测很有希望。神经元尖峰信号代表神经元的活动,利用电化学信号传递指令。美国食品药品监督管理局于2023年批准Neuralink进行人体植入试验,2023年9月该公
2024-01-31 三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。 新一代3D DRAM技术将带来革命性的突破。通过先进的3D堆叠技术,这种DRAM有望实现更高的存储容量和更快的读写速度,从而满
2024-01-31 可以使用几种不同类型的扬声器外壳或扬声器盒 - 每种类型都有自己的特点,可以更好地服务于不同的用途。 选择扬声器外壳的类型对性能有重大影响,并决定了整个扬声器系统的许多特性。 使用扬声器外壳或扬声器盒的原因 扬声器箱或扬声器外壳是任何扬声器系统性能的基本要素。 扬声器产生的声波从前部和后部发出 - 振膜前后移动。因此,空气根据隔膜的运动被压缩和减压。当隔膜向
2024-01-31 微控制器(MCU)厂商新唐科技,近日宣布其日本子公司新唐(NTCJ)将投入65亿日元(约合人民币3.15亿元)的资本支出预算案。这笔资金将主要用于购买生产设备和研发设备,以满足市场需求和推动技术进步。 新唐日本子公司的这一投资计划表明了其对未来发展的信心和决心。随着全球电子市场的不断扩大和技术的快速发展,微控制器(MCU)作为电子产品的核心组件,需求量持续增
2024-01-30 据彭博社1月20日报道,美国国会将禁止国防部从中国的6家电池制造企业采购电池,这一规定将作为2023年12月通过的2024财年国防授权法案中的一部分实施。报道称,这是美国国会试图进一步推动国防部供应链与中国“脱钩”。 据介绍,被禁的6家中国电池制造企业包括:宁德时代、比亚迪、远景能源、亿纬锂能、国轩高科、海辰储能等。不过,该禁令并不会立刻实施,而是将于202
2024-01-30 导读 INTRODUCTION 1月19日,在国务院新闻办举行的2023年工业和信息化发展情况新闻发布会上,工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长陶青介绍了我国制造业数字化转型相关情况。她表示,工业和信息化部认真落实、扎实推进制造业数字化转型各项重点任务,推动制造业数字化转型步伐不断加快、水平持续提升。 一是数字基础设施支撑有力。建成全球最大的光纤和移
2024-11-21 标题:IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1功率半导体IGBT是一款高效且可靠的功率半导体器件,其具有650V和38A的特性,最大输出功率为200W。这种器件广泛应用于各种需要大功率转换和控制的应用场景,如电机驱动、电源转换、电子设备等。 首先,我们来了解一下IXYS IXYS IX
2024-11-20 标题:IXYS艾赛斯IXYP15N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司以其卓越的IXYP15N65C3功率半导体IGBT,为工业、电源和电子设备领域提供了高效、可靠的解决方案。这款650V 38A 200W的IGBT,以其出色的性能和稳定性,在许多应用中发挥着关键作用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP15N65C3功率半导
2024-11-19 随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为一家专业从事功率半导体器件研发、生产和销售的公司,其IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D系列产品在市场上备受关注。本文将介绍IXYS艾赛斯IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-
2024-11-18 标题:IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下,IXYS艾赛斯的IXYY8N90C3-TRL功率半导体元件以其卓越的性能和稳定性,成为了业界关注的焦点。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体的技术特点和方案应用。 首
2024-11-17 标题:IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D封装技术的方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体供应商,其IXA4I1200UC-TUB DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D封装技术以其独特的优势
2024-11-16 标题:IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TRL功率半导体IGBT技术与应用介绍 在当今电力电子设备中,功率半导体IGBT起着核心作用。IXYS艾赛斯公司的IXA4I1200UC-TRL是一款优秀的IGBT,它具有1200V、9A、45W的特性,适用于各种高功率应用场合。 一、技术特点 IXA4I1200UC-TRL IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的
亿配芯城(深圳)电子科技有限公司(由之前深圳市新嘉盛工贸有限公司2022年变更名称) 成立于2013年,从实体店铺到线上经营,在行业已经拥有12年的集成芯片供应服务经验,平台成立于2016年并上线服务,商城平台主要特点;线上快捷交易配单+线下实体供应交货;两全其美的垂直发展理念。截止2021年公司服务的客户已经超过了40000家,与大疆、美的、鱼跃、海格通讯、中国科学院以及上海电气等都有合作,是国内电子元器件专业的电子商务平台+实体店企业。未来发展及模式主要以(一站式BOM采购配单,平台寄售/处理闲置库存达到资源共享双赢,电子工程师交流社区,硬件开发与支持等互动服务平台)在这个快速而发展迅猛的科技互联网时代为大家提供精准的大数据资源平台。
一站式BOM报价电子元器件采购平台