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IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TRL功率半导体IGBT 1200V 9A 45W TO252AA的技术和方案应用介绍
2024-11-16
标题:IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TRL功率半导体IGBT技术与应用介绍 在当今电力电子设备中,功率半导体IGBT起着核心作用。IXYS艾赛斯公司的IXA4I1200UC-TRL是一款优秀的IGBT,它具有1200V、9A、45W的特性,适用于各种高功率应用场合。 一、技术特点 IXA4I1200UC-TRL IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的生产工艺,具有以下技术特点: 1. 高温性能:由于其设计的高压特性,IXA4I1200UC-TRL能够在高温环境下保持稳定的工作状态。 2
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