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IXYS艾赛斯IXBH42N170A功率半导体IGBT 1700V 42A 357W TO247的技术和方案应用介绍
2024-05-10
标题:IXYS艾赛斯IXBH42N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXBH42N170A功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其工作电压高达1700V,电流容量为42A,最高功率为357W。这款器件以其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,如逆变器、变频器、电机驱动等。 二、技术特点 IXBH42N170A IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的制造技术,包括高精度工艺、多层薄膜绝缘技术、先进的封装技术等。这些技术的应用,使得该器件具有更高的耐
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