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标题:IXYS艾赛斯IXBH9N160G功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司以其卓越的IXBH9N160G功率半导体IGBT,为工业和电子设备领域提供了高效且可靠的解决方案。这款IGBT的特点是1600V、9A、100W的功率规格,以及TO247AD的封装形式。 首先,让我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBH9N160G功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的生产工艺,具有高耐压、大电流和大功率的特点。它采用TO247AD封装形式,这种封装形式提供了良好的散热性能,
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