欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXBT10N170

IXBT10N170 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXBT10N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业、交通、家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXBT10N170功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多应用场景的理想选择。本文将围绕IXBT10N170的技术特点和方案应用进行详细介绍。 首先,我们来了解一下IXBT10N170的基本参数。这款产品采用了1700V、20A、140W的功率半导体IGBT,适用于各种需要大功率转换的场合。其封装为TO268
  • 共 1 页/1 条记录