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IXYS艾赛斯IXBT16N170A功率半导体IGBT 1700V 16A 150W TO268的技术和方案应用介绍
2024-10-17
标题:IXYS艾赛斯IXBT16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXBT16N170A功率半导体IGBT,作为一种重要的电力电子器件,在许多领域中发挥着关键作用。本文将围绕IXBT16N170A的特性、技术细节以及应用方案进行介绍。 一、概述 IXBT16N170A是一款N沟道增强型功率半导体IGBT,其特点在于具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性。这款器件的最大额定电压为1700V
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