欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXBT6N170

IXBT6N170 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXBT6N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBT6N170功率半导体IGBT是一种重要的功率电子元件,其技术特点和方案应用在许多领域中都发挥了重要的作用。 首先,IXBT6N170采用了IXYS公司独特的IXBT结构,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件的额定电压为1700V,电流容量为12A,功耗为75W,这使得它在高电压和大电流的应用场景中具有显著的优势。 在技术方面,IXBT6N170采用了先进的表面处理技术和合金技术,以提高其可靠
  • 共 1 页/1 条记录