IXDA20N120AS 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXDA20N120AS功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXDA20N120AS是一种功率半导体IGBT，其额定电压为1200V，电流为38A，功率为200W。该器件采用TO263AB封装，具有体积小、重量轻、效率高等优点。IXDA20N120AS适用于各种需要大功率、高效能的电子设备，如逆变器、电源、电机驱动等。 二、技术特点 IXDA20N120AS IGBT的主要技术特点包括高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高重复工作频率等。这些特