IXDH30N120 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXDH30N120功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXDH30N120功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 60A 300W的功率元件，采用TO247AD封装，适用于各种高效率的电源和电子设备。 二、技术特点 IXDH30N120采用IXYS公司独特的工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构为复合型IGBT，具有较高的输入阻抗，使得散热量大大降低，从而提高了系统的效率。此外，其良好的热稳定性使其在高温环境下仍能保持良好的性能。