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IXDR30N120D1 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其技术特点和方案应用在当今的电力电子领域中具有重要意义。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT采用了IXYS独特的技术,具有以下特点: 1. 1200V的电压等级,能够承受较大的电压和电流,适用于各种高电压和大电流的场合。 2. 50A的额定电流
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