IXER35N120D1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXER35N120D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXER35N120D1功率半导体IGBT是一款适用于各种高效率电源系统的核心元件。这款IGBT的特点是具有高效、稳定、可靠等优点，使其在众多应用领域中发挥了重要作用。 首先，关于IXER35N120D1的参数，它是一款1200V，50A，200W的功率半导体器件，封装形式为TO247。这种封装形式为散热设计提供了更大的空间，有助于提高器件的长期稳定性。其工作温度范围为-40℃至+150℃，使其在