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IXGA12N120A3 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXGA12N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,而功率半导体器件作为电力转换和控制的核心部件,其性能和可靠性直接影响到整个系统的性能和效率。IXYS艾赛斯IXGA12N120A3功率半导体IGBT便是其中的佼佼者。 IXGA12N120A3是一款1200V、22A、100W的TO263封装的功率半导体IGBT。其技术特点包括高输入电容、低导通电阻、高开关速度、高抗浪涌能力以及良好的热阻抗性。这些特性使得IXGA
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