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IXYS艾赛斯IXGA20N120A3功率半导体IGBT 1200V 40A 180W TO263的技术和方案应用介绍
2024-08-12
标题:IXYS艾赛斯IXGA20N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXGA20N120A3是一款功率半导体IGBT,其工作电压高达1200V,电流容量为40A,总功率为180W。这款产品特别适用于各种需要大功率、高电压输出的应用场合,如电力转换、电机驱动、电源管理等。 二、技术特点 IXGA20N120A3的IGBT芯片采用了IXYS艾赛斯独特的技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构优化,使得芯片在高温、高电压等恶劣环境下仍能保持良好的性能。
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