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IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT 1200V 36A 180W TO263的技术和方案应用介绍
2024-12-31
标题:IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT,作为一种重要的功率半导体器件,在许多领域中发挥着不可或缺的作用。本文将详细介绍IXGA20N120B3的技术特点和应用方案。 首先,我们来了解一下IXGA20N120B3的基本参数。该器件是一款1200V、36A、180W的IGBT,封装为TO263。这种封装形式具有体积小、散热性能好的特点,
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