IXGH10N100U1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH10N100U1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH10N100U1是一款高性能的功率半导体IGBT，其工作电压低至1000V，而电流容量高达20A，总功率输出达到100W。这款产品采用了TO247AD封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，特别适合于各种工业应用，如电机驱动、电源转换和电子设备等。 二、特性 1. 低工作电压：在保持高电流容量的情况下，IXGH10N100U1具有低工作电压，使得系统设计更为简单。 2. 高热性能：TO