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IXYS艾赛斯IXGH10N170A功率半导体IGBT 1700V 10A 140W TO247的技术和方案应用介绍
2024-09-02
标题:IXYS艾赛斯IXGH10N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGH10N170A功率半导体IGBT,以其出色的性能和卓越的能效,成为当今电力电子设备中的重要组成部分。本文将介绍IXGH10N170A的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IXGH10N170A是一款高性能的功率半导体IGBT,具有以下特点: 1. 1700V的耐压值,保证了其在高电压应用中的稳定性和安全性。 2. 1
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