IXGH120N30B3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH120N30B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH120N30B3功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其工作原理基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的技术。这是一种将场效应晶体管（栅极）和双极型三极管（基极-集电极）结合在一个半导体芯片上的器件。它具有输入电流与输出电流极性一致、输入阻抗高、控制电路简单等优点。 二、性能特点 这款功率半导体IGBT具有以下特点： * 额定电压300V； * 额定电流75A； * 最大输出功