IXGH120N30C3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH120N30C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的发展，功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司的IXGH120N30C3功率半导体IGBT，以其优良的性能和稳定性，成为许多工业应用的首选。 首先，我们来了解一下IXGH120N30C3的特性。这款IGBT是一款300V，75A，540W的功率半导体器件，其工作温度范围为-55℃至150℃，适合在各种工业环境中使用。它采用了TO247封装，这种封装方式具有高散热性，能