IXGH16N170 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH16N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH16N170是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点是工作电压低、开关速度快、损耗小、耐压高、电流容量大，适用于各种电力电子设备中。该器件采用TO247AD封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，使其在许多应用中具有显著的优势。 二、工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型功率半导体器件，具有门极可调谐开关特性，使得其开关速度非常