IXGH16N170A 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH16N170A功率半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的高压大电流功率半导体器件。其工作电压高达1700V，最大电流为16A，最大功率为190W，使得它非常适合于需要高效率、高功率的电子设备。封装形式为TO247，使得其具有紧凑的结构和良好的散热性能。 二、技术特点 IXGH16N170A采用了IXYS艾赛斯独特的工艺技术，具有以下特点： 1. 高压大电流设计，使得该器件在需要高功率的