IXGH17N100U1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH17N100U1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH17N100U1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其工作原理基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的技术。IGBT是一种复合型器件，它结合了绝缘栅极和双极型晶体管的优点，具有较高的输入阻抗、通态电压低、开关速度快等特点，广泛应用于各种电力电子领域。 二、产品特性 IXGH17N100U1的主要特性包括：工作电压低至1000V，额定电流高达34A，最大输出功率达到150W。其