IXGH20N120A3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH20N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH20N120A3是一款功率半导体IGBT，其工作电压高达1200V，电流容量为40A，最高功率达到180W。这种器件广泛应用于各种需要大功率、高效率的电子设备中，如电源转换、电机驱动、加热设备等。 二、技术特点 IXGH20N120A3采用TO-247封装，具有高耐压、大电流、高效率等特点。其内部结构为N-MOS晶体管和P-MOS晶体管的复合结构，这种结构使得其在承受高电压时，电流能够