IXGH30N120C3H1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH30N120C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH30N120C3H1功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 48A 250W的TO247AD封装功率器件。这款器件采用了IXYS艾赛斯独特的技术和方案，具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点，广泛应用于各种需要大功率转换的电子设备中。 二、产品特点 1. 高压性能：该器件具有出色的高压性能，能够承受高达1200V的电压，适用于需要高压电源转换的场合。 2. 电流容量大：