欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXGH32N120A3

IXGH32N120A3 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXGH32N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH32N120A3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 75A 300W TO247封装功率半导体器件。该器件采用了IXYS艾赛斯自主研发的先进技术,具有高耐压、大电流、高效率等特点,广泛应用于各种高功率电源和电机驱动系统。 二、产品特点 1. 高耐压:IXGH32N120A3的最大耐压达到了1200V,能够承受较大的电压波动,保证系统的稳定运行。 2. 大电流:该器件的最大电
  • 共 1 页/1 条记录