欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXGH32N60CD1

IXGH32N60CD1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXGH32N60CD1功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXGH32N60CD1是一款高性能的功率半导体IGBT,其具体型号为IXGH32N60,额定电压为600V,额定电流为60A,最大输出功率为200W。这款产品主要应用于各类需要大功率转换的电子设备中,如电机驱动、逆变器、UPS电源等。 二、技术特点 IXGH32N60CD1采用了IXYS艾赛斯独特的IGBT技术,具有高开关速度、低损耗、高可靠性等特点。其内部结构优化,使得在高频应用中
  • 共 1 页/1 条记录