IXGH40N120A2 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH40N120A2功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH40N120A2功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 75A 360W TO247封装的IGBT。这款器件采用了IXYS公司独特的生产工艺，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种高电压、大电流的电源和电机驱动系统。 二、技术特点 1. 高耐压：IXGH40N120A2的额定电压为1200V，使得它可以承受较大的电压波动，适用于需要高电压输出的应用场景。 2. 大电流：该