欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXGH40N120C3D1

IXGH40N120C3D1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXGH40N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH40N120C3D1功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 75A 380W TO247封装形式的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这种晶体管是功率半导体的重要元件,它将电压或电流的功率转换为可以通过导线传输的电力。其具有较高的输入阻抗、较高的浪涌保护能力和较快的开关速度等特点。 二、方案应用 1. 高压电源:IXGH40N120C3D1可以广泛应用于高压电源中,如LED照明
  • 共 1 页/1 条记录