IXGH50N120C3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH50N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXGH50N120C3功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音等特点的器件。这款器件采用TO-247封装，适用于各种工业、电源和电子设备中。 首先，我们来了解一下IXGH50N120C3的参数。这款器件的最大栅极-源极电压为1200V，最大漏极电流为75A，总耗散功率为460W。这些参数表明，它适用于需要大功率、高电压的场合。 在技术方面，IXGH50N120C3采用了先进的半导