IXGH6N170A 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGH6N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术日新月异，各种新型的功率半导体器件不断涌现。IXYS艾赛斯公司的IXGH6N170A功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了电力电子设备中的重要组成部分。 IXGH6N170A是一款高性能的IGBT模块，其最大额定值为1700V、6A、75W。这款器件采用TO247AD封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种需要大功率、高效能的电子设备，如逆变器、变频器、电源模块等。