欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXGK72N60B3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGK72N60B3H1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,它具有600V、75A和540W的功率容量,适用于各种电子设备中。这款器件采用TO264封装形式,具有紧凑的结构和良好的散热性能,适用于各种工业和商业应用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXGK72N60B3H1功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流和高热导率的特点。它采用氮化硅(SiN
  • 共 1 页/1 条记录