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IXYS艾赛斯IXGP20N120B3功率半导体IGBT 1200V 36A 180W TO220的技术和方案应用介绍
2024-06-26
标题:IXYS艾赛斯IXGP20N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGP20N120B3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了工业和电力电子领域的重要选择。 IXGP20N120B3是一款1200V、36A、180W的TO-220封装的IGBT。其突出的特点包括高输入容量、低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。这些特性使得IXGP20N120B3在各种高功率应用中具有显著的优势。 首先,
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