IXGR55N120A3H1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGR55N120A3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述技术 IXYS艾赛斯IXGR55N120A3H1功率半导体IGBT是一款适用于中高压应用的高效功率半导体器件。其工作电压高达1200V，电流承载能力为70A，最大输出功率为200W。这款器件采用IXYS公司独特的ISOPLUS247技术，具有出色的热性能和可靠性。 二、技术特点 ISOPLUS247技术是IXYS艾赛斯公司的一项创新，它通过优化器件的电气和热性能，实现了更高的功率密度和更低的功耗。该技术包