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IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT 1700V 16A 190W TO268的技术和方案应用介绍
2024-07-28
标题:IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT是一种重要的功率电子设备,其应用范围广泛,涵盖了电力转换、电机驱动、电子变压器等多个领域。此款IGBT的特点在于其高耐压、大电流和高热稳定性,适用于各种高功率场合。 二、特性详解 1. 额定值:该款IGBT的额定电压为1700V,额定电流为16A,额定功率为190W。 2. 封装形式:TO268,方便安装和散热。 3. 技术规格:IXGT16N170A
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