IXGT20N120B 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGT20N120B功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、背景概述 IXYS艾赛斯公司的IXGT20N120B功率半导体IGBT是一款适用于各种电力电子应用的高性能器件。这款器件具有1200V的耐压，40A的电流容量以及190W的输出功率，使其在各种高功率应用中具有显著的优势。 二、技术特点 IXGT20N120B的主要技术特点包括其高耐压、高电流容量和高效能。这种IGBT模块采用TO-268封装，具有优良的热性能和机械性能，能够承受高功率负载的冲击，同时保持稳定的电气性