IXGT30N120B3D1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXGT30N120B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、背景概述 功率半导体IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种重要的电子元器件。它具有开关速度快、损耗低、耐压高、驱动功率小等优点，广泛应用于各种电子设备中，如电源、电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车等。本文将介绍IXYS艾赛斯IXGT30N120B3D1这款具有代表性的功率半导体IGBT及其应用方案。 二、技术详解 IXGT30N120B3D1是一款1200V，300W的IGBT。其特点包括高耐压、高功率、快速开