欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXGX50N120C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGX50N120C3H1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多电子设备中的关键元件。 IXGX50N120C3H1是一款具有1200V、95A、460W PLUS247特性的IGBT。它采用了IXYS艾赛斯公司最新的技术,具有高耐压、大电流、高效率等特点,适用于各种高功率电子设备中。 首先,IXGX50N1
  • 共 1 页/1 条记录