IXSH20N60B2D1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXSH20N60B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXSH20N60B2D1功率半导体IGBT是一款优秀的600V 35A 190W IGBT。这款功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性，在许多电子设备中发挥着重要的作用。 首先，让我们了解一下IGBT的基本技术。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型电力电子器件，兼具了晶体管的高输入阻抗和双极性晶体管的电流传输特性。IXYS艾赛斯IXSH20N60B